На прошлой неделе в городе Остин (штат Техас, США) прошла церемония, посвященная расширению завода Samsung Austin Semiconductor (SAS), занимающегося производством памяти типа DRAM . Это расширение – второй этап в осуществлении 3-х годичного плана корпорации Samsung Electronics по инвестицированию $500 млн. в первое предприятие по производству полупроводников, расположенное за пределами Южной Кореи и основанное в 1996 году. Территория фабрики была расширена почти на на 3000 кв. метров. К концу текущего гда начнётся массовое производство DRAM по 100-нанометровому производственному процессу.
Численность персонала на заваоде SAS составляет 1000 человек и может быть увеличена на 300 сотрудников.